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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD320N20N3 G 

产品描述

MOSFET N-KANAL POWER MOS

内部编号

173-IPD320N20N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:34
2+¥12.3215
20+¥11.0913
最小起订量:2
英国伦敦
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#2

数量:4888
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPD320N20N3 G产品详细规格

规格书 IPD320N20N3 G datasheet 规格书
IPD320N20N3 G
IPD320N20N3 G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 34A
Rds(最大)@ ID,VGS 32 mOhm @ 34A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 90µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 29nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2350pF @ 100V
功率 - 最大 136W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

IPD320N20N3 G系列产品

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